|
|
Effect of the substrate crystalline orientation on the surface morphology and boron incorporation into epitaxial diamond layers
Voves, J. ; Pošta, A. ; Davydova, Marina ; Laposa, A. ; Povolný, V. ; Hazdra, P. ; Lambert, Nicolas ; Sedláková, Silvia ; Mortet, Vincent
Epitaxial growth of diamond is critically important for the fabrication of diamond-based electronic devices. The emerging study of the epitaxial diamond growth on the (113) vicinal surfaces evidences highly needed high growth rates and low structural defects concentrations with both p- and n-type doping. In this work, we compare the morphology and dopant concentration incorporation of heavily boron-doped (113) epitaxial diamond layers with conventionally studied (100) and (111) epitaxial layers. Epitaxial layers were grown using resonance cavity Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (MWPECVD) system. The surface morphology of epitaxial layers was studied by optical microscopy and atomic force microscopy, whereas the boron incorporation homogeneity was determined by Raman spectroscopy mapping.
|
|
|
Studium strukturních vlastností modelových katalyzátorů na bázi oxidu ceru
Beran, Jan
Tato práce se zabývá studiem struktury modelových katalyzátorů na bázi oxidu ceru metodami elektronové difrakce RHEED a fotoelektronové spektroskopie XPS. V práci je detailně popsán vliv depozičních podmínek a typu substrátu na růst epitaxních vrstev oxidu ceru na površích monokrystalů mědi. Dále práce popisuje interakci ceru a cínu v modelových systémech a vznik a strukturu směsného oxidu SnCeOx. V poslední části práce je zkoumána interakce palladia s povrchy oxidů ceru a cínu a vznik bimetalických slitin palladia. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
|
|
|
Studium strukturních vlastností modelových katalyzátorů na bázi oxidu ceru
Beran, Jan
Tato práce se zabývá studiem struktury modelových katalyzátorů na bázi oxidu ceru metodami elektronové difrakce RHEED a fotoelektronové spektroskopie XPS. V práci je detailně popsán vliv depozičních podmínek a typu substrátu na růst epitaxních vrstev oxidu ceru na površích monokrystalů mědi. Dále práce popisuje interakci ceru a cínu v modelových systémech a vznik a strukturu směsného oxidu SnCeOx. V poslední části práce je zkoumána interakce palladia s povrchy oxidů ceru a cínu a vznik bimetalických slitin palladia. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
|
|
|
Studium strukturních vlastností modelových katalyzátorů na bázi oxidu ceru
Beran, Jan ; Mašek, Karel (vedoucí práce) ; Olejník, Kamil (oponent) ; Lykhach, Yaroslava (oponent)
Tato práce se zabývá studiem struktury modelových katalyzátorů na bázi oxidu ceru metodami elektronové difrakce RHEED a fotoelektronové spektroskopie XPS. V práci je detailně popsán vliv depozičních podmínek a typu substrátu na růst epitaxních vrstev oxidu ceru na površích monokrystalů mědi. Dále práce popisuje interakci ceru a cínu v modelových systémech a vznik a strukturu směsného oxidu SnCeOx. V poslední části práce je zkoumána interakce palladia s povrchy oxidů ceru a cínu a vznik bimetalických slitin palladia. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
|
|
|
Příprava a charakterizace tenkých epitaxních vrstev oxidu wolframu
Pavlíková, Romana ; Mašek, Karel (vedoucí práce) ; Olejník, Kamil (oponent)
Tenké epitaxní vrstvy oxidu wolframu byly připraveny metodou vakuového napařování na povrchy monokrystalů Pd(111), Cu(111), Cu(110) a Cu(100) a studovány metodami RHEED, XPS a AFM. Depozice probíhala při teplotách substrátu 300 řC - 400 řC v UHV nebo v kyslíkové atmosféře. Jako optimální podmínky pro depozici se ukázala teplota 400 řC a kyslíková atmosféra. Takto připravené tenké vrstvy jsou epitaxní a jen částečně redukované. Na povrchu Pd(111) a Cu(111) vznikla vrstva skládající se ze dvou fází: téměř atomárně rovné fáze s epitaxní rovinou (100) a fáze tvořené třídimenzionálními částicemi s epitaxní rovinou (111). Vrstva deponovaná na Cu (100) se skládala také z dvou fází: hladké vrstvy s epitaxí (100) a samoorganizované 1D struktury ve směrech Cu[010] a Cu[001]. Na povrchu Cu(110) pak vznikla pouze samoorganizovaná struktura ve směru Cu[1-10]. Byly studovány možnosti oxidace deponovaných částečně redukovaných vrstev pomocí radiofrekvenčního plazmatu kyslíku, vystavení vrstvy vlivu O2 za zvýšené teploty a vystavení působení atmosféry. Byla také zkoumána teplotní stabilita systému WO3/Cu(110) až do teploty 620 řC.
|
|
|
Studium vlivu teploty substrátu na strukturu epitaxních vrstev oxidu wolframu
Pavlíková, Romana ; Mašek, Karel (vedoucí práce) ; Veltruská, Kateřina (oponent)
Předmětem práce je zkoumání vlivu teploty substrátu při radiofrekvenční oxidaci monokrystalu wolframu W(110) na strukturu, chemické složení a morfologii vznikajících vrstev. Tyto parametry byly zkoumány pomocí metod RHEED, XPS, AFM a SEM. Oxidace byla provedena za pokojové teploty a dále při teplotách substrátu 400ř C, 500ř C a 550ř C. Vrstvy vznikající za pokojové teploty a při 400ř C byly amorfní, rekrystalizací pak bylo dosaženo epitaxního uspořádání. Za teploty 500ř C vznikla přímo epitaxní vrstva. Po dalším zvýšení teploty na 550ř C vznikla polykrystalická vrstva, která ale téměř postrádala preferenční uspořádání. Veškeré vznikající epitaxní vrstvy oxidu wolframu rostly s krystalografickou rovinou (111) rovnoběžnou s povrchem. Vrstvy rostly s relativně vysokou hrubostí v řádu několika nanometrů.
|
|
|
Epitaxial rectrystalization of the Ni/MgO(001)interface
Vacík, Jiří ; Naramoto, H. ; Yamamoto, S. ; Narumi, K. ; Havránek, Vladimír
Process of recrystallization of the epitaxially grown Ni layer deposited on the MgO(001) single crystal is studied. Thin Ni layer prepared by the vapor deposition of Ni on the MgO substrate kept were annealed between 500 and 1000 0C and systematically analyzed by Rutherford backscattering, X-ray diffraction and atomic force microscopy. Dramatic change in evolution of the crystalline quality was observed during the thermal treatment. The strain and defect density gradually decreased and at the temperature 1000 0C the strain-free Ni/MgO(001) interface was obtained.
|
host ::
RSS.